В Китае разработали материал, позволяющий в десятки раз повысить скорость хранения данных

Пекин, 15 ноября /Синьхуа/ -- Физики из китайского мегаполиса Шанхая объявили об успешной разработке нового материала с изменением фазового состояния. Открытие, как ожидается, позволит в 70 раз повысить скорость хранения данных в электронных приборах.

Данный прорыв был достигнут группой научных сотрудников Шанхайского института микросистем и информационных технологий Академии наук Китая под руководством Сун Чжитана.

Результаты экспериментов показывают, что скорость записи в память с изменением фазового состояния /PCRAM/, созданную с использованием нового материала, достигла 700 пикосекунд.

Напомним, что максимальная скорость записи в действующих PCRAM из сплава германия, сурьмы и теллура составляет лишь 50 наносекунд, что равняется 50 тыс. пикосекунд.

PCRAM представляет собой один из типов энергонезависимой памяти, основанный на уникальном свойстве халькогенидов, которые при нагревании могут "переключаться" между двумя состояниями: кристаллическим и аморфным.

При разработке нового материала китайские ученые использовали сплав из скандия, теллура и сурьмы.

Как сообщил Сун Чжитан в интервью информагентству Синьхуа, для проверки целесообразности использования нового материала, он с коллегами планирует применить его для разработки чипов памяти.

Новый прорыв поможет заложить важный фундамент для создания в стране передовых запоминающих устройств, пояснил ученый.