Сиань, 30 августа /Синьхуа/ -- Компания Samsung Electronics сегодня подписала соглашение с народным правительством провинции Шэньси /Северо-Западный Китай/ о расширении своих мощностей по производству микросхем в этой провинции.
Samsung Electronics вложит первоначальные инвестиции в размере 7 млрд долларов США в строительство второй очереди своего завода микросхем в Сиане, административном центре провинции Шэньси. Основной продукцией завода станут усовершенствованные чипы флэш-памяти.
Первая очередь завода в Сианьской зоне развития высокотехнологичных производств была введена в эксплуатацию в мае 2014 года. Объем инвестиций составил 10 млрд долларов США.
Реализация Samsung Electronics проекта полупроводникового производства привлекла в Сиань более 100 вспомогательных компаний, а дальнейшее расширение мощностей, как ожидают, укрепит значение Сианя в качестве крупной базы по производству полупроводниковых устройств.